Tecnología GaN para alcanzar puntos de inflexión de adopción en múltiples industrias, impulsando aún más la eficiencia energética.
A medida que el mundo continúa enfrentando los desafíos del cambio climático y la sostenibilidad ambiental, Infineon Technologies está a la vanguardia de la innovación, aprovechando el poder de todos los materiales semiconductores relevantes, incluidos el silicio (Si), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) para impulsar un progreso significativo hacia la descarbonización y la digitalización.
Lo que se acerca
En sus predicciones para 2025: semiconductores de potencia GaN, Infineon destaca que el nitruro de galio será un material semiconductor que cambiará las reglas del juego y revolucionará la forma en que abordamos la eficiencia energética y la descarbonización en las industrias de consumo, movilidad, energía solar residencial, telecomunicaciones y centros de datos de IA.
GaN proporciona beneficios significativos en las aplicaciones de los clientes finales, lo que permite un rendimiento eficiente, un tamaño más pequeño, un peso más ligero y un costo general más bajo.
Si bien los cargadores y adaptadores USB-C han sido los precursores, GaN ahora está en camino de alcanzar puntos de inflexión en su adopción en otras industrias, impulsando sustancialmente el mercado de semiconductores de potencia basados en GaN.
«Infineon se compromete a impulsar la descarbonización y la digitalización a través de la innovación basada en todos los materiales semiconductores Si, SiC y GaN», dijo Johannes Schoiswohl, jefe de la línea de negocios de GaN en Infineon. «La relevancia de los sistemas integrales de energía aumentará con el GaN manifestando su papel debido a sus beneficios en eficiencia, densidad y tamaño. Dado que la paridad de costos con el silicio está a la vista, veremos una mayor tasa de adopción de GaN este año y más allá.
Aplicaciones preferentes
La potencia de la IA dependerá en gran medida del GaN. El rápido aumento de la potencia de cálculo requerida y la demanda de energía en los centros de datos de IA impulsará la necesidad de soluciones avanzadas capaces de manejar las cargas sustanciales asociadas con los servidores de IA. Las fuentes de alimentación que antes gestionaban 3,3 kW ahora están evolucionando hacia los 5,5 kW, con proyecciones que se acercan a los 12 kW o más por unidad.
Al aprovechar el GaN, los centros de datos de IA pueden mejorar la densidad de energía, lo que influye directamente en la cantidad de potencia computacional que se puede entregar dentro de un espacio de rack determinado.
En el mercado de electrodomésticos, Infineon espera que el GaN gane una tracción significativa, impulsada por la necesidad de calificaciones de eficiencia energética más altas en aplicaciones como lavadoras, secadoras, refrigeradores y bombas de agua/calor. En aplicaciones de 800 W, por ejemplo, el GaN puede permitir un aumento de eficiencia del dos por ciento, lo que puede ayudar a los fabricantes a alcanzar las codiciadas clasificaciones A.
Según Infineon, los cargadores a bordo basados en GaN y los convertidores CC-CC en vehículos eléctricos contribuirán a una mayor eficiencia de carga, densidad de potencia y sostenibilidad de materiales, con un cambio hacia sistemas de 20 kW+.
En 2025 y más allá, la robótica verá una adopción generalizada de GaN respaldada por la capacidad del material para mejorar la compacidad, impulsando el crecimiento de los drones de entrega, los robots de cuidado y los robots humanoides.
A medida que la tecnología robótica integra avances de IA como el procesamiento del lenguaje natural y la visión por computadora, GaN proporcionará la eficiencia requerida para diseños compactos y de alto rendimiento.
