La tecnología GaN de 300 mm pretende impulsar el mercado de semiconductores de potencia al aprovechar los entornos de producción existentes y lograr la paridad de coste con el silicio en un futuro cercano.
Infineon Technologies anuncia el desarrollo de una tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de potencia de 300 mm, convirtiéndose en una de las primeras compañías en aprovechar esta innovación en un entorno de fabricación de alto volumen existente y escalable.
Este avance ayudará a impulsar el mercado de semiconductores de potencia basados en GaN, ya que la fabricación de chips en obleas de 300 mm es más avanzada y eficiente en comparación con las obleas de 200 mm, debido a que el mayor diámetro de la oblea permite ofrecer 2,3 veces más chips por oblea.
Adopción
Los semiconductores de potencia basados en GaN se han adoptado rápidamente en entornos industriales, automoción, consumo y aplicaciones informáticas y de comunicación, incluyendo fuentes de alimentación para sistemas de inteligencia artificial (IA), inversores solares, cargadores y adaptadores y sistemas de control de motor.
Los procesos de producción GaN de vanguardia conllevan un rendimiento mejorado del dispositivo, lo que genera grandes ventajas en las aplicaciones de los clientes finales: mayor eficiencia en un formato más pequeño y ligero con menor coste. Además, la fabricación de 300 mm garantiza la estabilidad de suministro al cliente a través de la escalabilidad.
“Este avance es el resultado de la apuesta por la innovación y del trabajo de un equipo global, consolidando nuestra posición como líder en innovación en GaN y sistemas de alimentación”, afirma Jochen Hanebeck, CEO de Infineon Technologies. “El nuevo hito nos permitirá “desbloquear” todo el potencial del nitruro de galio. Casi un año después de la adquisición de GaN Systems, volvemos a demostrar el compromiso con el mercado de GaN en rápido crecimiento. Infineon “domina” los tres materiales relevantes: silicio, carburo de silicio y nitruro de galio”.
Infineon ha producido exitosamente obleas GaN de 300 mm en una línea piloto integrada en la fabricación de silicio de 300 mm en sus instalaciones de Villach (Austria).
Compatibilidad con equipos de producción
La tecnología GaN de 300 mm se puede utilizar en los actuales equipos de fabricación de silicio de 300 mm, ya que el nitruro de galio y el silicio son muy similares en los procesos de producción. Además, las líneas de producción de silicio de 300 mm de Infineon son ideales para poner a prueba la tecnología GaN, lo que permite una implementación acelerada con un uso eficiente del capital.
La producción de GaN de 300 mm a escala completa contribuirá a la paridad de costes de GaN con el silicio en el nivel R DS(on), lo que también significa la paridad de costes para productos comparables de Si y GaN.
La tecnología GaN de 300 mm es otro buen ejemplo del compromiso de Infineon por la descarbonización y la digitalización.
La compañía presentará las primeras obleas GaN de 300 mm en el transcurso de electronica, que se celebra del 12 al 15 de noviembre de 2024 en Múnich (Alemania).
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