ROHM Semiconductor presentó su nuevo módulo de potencia SiC (silicio de carburo) BSM180D12P3C007 de potencia nominal 1200V / 180A.
Sobre la base de las capacidades de la completa cadena de suministro y capacidades avanzadas de encapsulado en las instalaciones de Rohm, el módulo SiC Half-Bridge integra MOSFETs SiC trench type y SBDs SiC producido en masa, en el mismo espacio, como los módulos anteriores.
ROHM ha sido pionero en módulos de potencia comerciales equipados con MOSFETs SiC y SBDs SiC, y fue capaz de producir en masa con éxito el primer MOSFET trench-type de la industria mediante la utilización de una estructura propia, asegurando la fiabilidad a largo plazo. El nuevo módulo implementa MOSFETs con su estructura UMOS avanzada sin región JFET y maximizando las características SiC.
Como resultado, el módulo de conmutación alcanza una pérdida un 77% menor que los módulos IGBT convencionales y 42% menor pérdida de conmutación que los módulos SiC planar que utilizan una estructura DMOS-Sic de segunda generación.
Esto no sólo permite un funcionamiento de alta frecuencia, sino que también contribuye a sistemas de refrigeración más pequeños, así como componentes periféricos más pequeños que, en consecuencia, allanan el camino para un mayor ahorro de energía y la miniaturización del producto final.
