La nueva generación de fotomáscaras EUV, compatibles con litografía de alta apertura numérica, permite resolver patrones más finos para semiconductores lógicos de última tecnología.
Optimización de patrones para litografía avanzada
El fabricante japonés Dai Nippon Printing (DNP) ha logrado un hito en el desarrollo de fotomáscaras destinadas a semiconductores lógicos más allá de la generación de 2 nm.
Estos componentes, fundamentales en los procesos de fabricación de semiconductores avanzados, son compatibles con la litografía EUV (Extreme Ultra-Violet) de alta apertura numérica (High-NA).
Esta tecnología facilita la creación de patrones finos en obleas de silicio, mejorando la resolución en comparación con los métodos anteriores y permitiendo el diseño de semiconductores de alto rendimiento y bajo consumo energético.
En la evaluación de las fotomáscaras High-NA, DNP ha introducido procesos de fabricación optimizados para satisfacer las exigencias de precisión y procesamiento requeridas por la tecnología EUV avanzada.
Esto incluye el desarrollo de un flujo de producción específico, distinto al utilizado en generaciones previas, para resolver patrones más complejos que incluyen curvas y formas no estándar.
Resolución de patrones más allá de 2 nm
La fabricación de estas fotomáscaras requiere reducir los patrones un 20 % en comparación con la generación de 3 nm, establecida en 2023. Además, los diseños deben incorporar estructuras avanzadas que van más allá de los patrones rectilíneos tradicionales.
A través de mejoras continuas en los procesos de producción, DNP ha conseguido resolver con éxito patrones de alta precisión que cumplen con los estándares establecidos por el IRDS (International Roadmap for Devices and Systems).
Este desarrollo es parte del proyecto nacional de I+D de Japón, liderado por NEDO, enfocado en fortalecer la infraestructura de sistemas de comunicación post-5G.
Como parte de esta iniciativa, DNP colabora con Rapidus Corporation y imec, avanzando en la tecnología necesaria para semiconductores de última generación.
Perspectivas futuras
DNP planea iniciar la producción en masa de fotomáscaras para semiconductores de 2 nm en el año fiscal 2027, mientras continúa investigando tecnologías con vistas a alcanzar capacidades para la generación de 1 nm. Las colaboraciones internacionales y la investigación aplicada aseguran el liderazgo de DNP en este ámbito.
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