El libro electrónico sobre tecnología GaN analiza cómo los controladores LTC7890/1 y LT8418 de alto rendimiento, junto con los inductores avanzados de Bourns, transforman la eficiencia y sostenibilidad en aplicaciones de potencia.
La empresa Mouser Electronics, en colaboración con Analog Devices (ADI) y Bourns, ha publicado un libro electrónico que detalla las ventajas del nitruro de galio (GaN) en la electrónica de potencia.
Este recurso profundiza en cómo el GaN, frente al silicio, mejora la eficiencia energética, aumenta la densidad de potencia y habilita velocidades de conmutación más rápidas, generando beneficios en sectores industriales, automovilísticos y de energías renovables.
Avances en tecnología de potencia
El libro presenta el análisis de diez expertos en la tecnología de nitruro de galio, destacando las ventajas del GaN frente al silicio en términos de sostenibilidad y rendimiento.
La transición hacia GaN permite simplificar diseños y superar desafíos comunes en aplicaciones de alta frecuencia y densidad de potencia.
Según el texto, los reguladores y controladores diseñados para esta tecnología, como el LTC7890/1 y el LT8418 de ADI, ofrecen capacidades superiores para aplicaciones que requieren alta fiabilidad y eficiencia.
El controlador LTC7890/1 soporta tensiones de entrada de hasta 100 V y es ideal para gestionar etapas de potencia con transistores FET de GaN síncronos de canal N.
Su diseño elimina la necesidad de componentes externos como diodos de protección, simplificando la implementación y reduciendo costes.
Por otro lado, el LT8418 integra funciones de controlador superior e inferior, además de protecciones internas que optimizan el rendimiento y reducen problemas como la interferencia electromagnética (EMI).
Componentes optimizados para alta frecuencia
La implementación de tecnología GaN requiere un cuidadoso diseño de los componentes pasivos.
Bourns ofrece soluciones específicas, como los inductores planos PQ y los inductores CWP3230A, que operan con baja inductancia y alta corriente, maximizando la eficiencia en entornos de alta frecuencia.
Además, el transformador HCTSM150102HL, con aislamiento reforzado de 15 mm y una tensión de resistencia máxima de 7,64 kV, garantiza fiabilidad en aplicaciones críticas de alto voltaje.
Su diseño, basado en núcleos toroidales de ferrita, asegura un elevado acoplamiento y optimiza la transferencia de potencia.
Con productos que incluyen controladores de GaN, inductores de potencia y transformadores avanzados, el libro ofrece una guía completa para diseñadores interesados en adoptar tecnología GaN, abordando desde desafíos iniciales hasta estrategias para la transición desde soluciones basadas en silicio.
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